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GT023N10Q中文資料谷峰半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

GT023N10Q
廠商型號(hào)

GT023N10Q

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

GT023N10

封裝外殼

TO-247

文件大小

924.7 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 GOFORD SEMICONDUCTOR
企業(yè)簡(jiǎn)稱

GOFORD谷峰半導(dǎo)體

中文名稱

谷峰半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-25 16:02:00

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GT023N10Q規(guī)格書詳情

Description

The GT023N10Q uses advanced trench technology to

provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in

a wide variety of applications.

Application

l Power switch

l DC/DC converters

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
XX
22+23+
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