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GT10J312分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

GT10J312
廠商型號

GT10J312

參數(shù)屬性

GT10J312 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 10A 60W TO220SM

功能描述

N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)

封裝外殼

TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

文件大小

295.12 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-3-15 20:44:00

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GT10J312規(guī)格書詳情

HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS

MOTOR CONTROL APPLICATIONS

● Third-generation IGBT

● Enhancement mode type

● High speed : tf = 0.30μs (Max.)

● Low saturation voltage : VCE (sat) = 2.7V (Max.)

● FRD included between emitter and collector

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    GT10J312(Q)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.7V @ 15V,10A

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    400ns/400ns

  • 測試條件:

    300V,10A,100 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220SM

  • 描述:

    IGBT 600V 10A 60W TO220SM

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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