GT10J312分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
GT10J312 |
| 參數(shù)屬性 | GT10J312 封裝/外殼為TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 10A 60W TO220SM |
| 功能描述 | N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
| 封裝外殼 | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 |
| 文件大小 |
295.12 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
6 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Toshiba Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
TOSHIBA【東芝】 |
| 中文名稱 | 株式會社東芝官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-3-15 20:44:00 |
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GT10J312規(guī)格書詳情
HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS
MOTOR CONTROL APPLICATIONS
● Third-generation IGBT
● Enhancement mode type
● High speed : tf = 0.30μs (Max.)
● Low saturation voltage : VCE (sat) = 2.7V (Max.)
● FRD included between emitter and collector
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
GT10J312(Q)
- 制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，10A
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
400ns/400ns
- 測試條件：
300V，10A，100 歐姆，15V
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-220SM
- 描述：
IGBT 600V 10A 60W TO220SM
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
TO220 |
65300 |
一級代理/放心購買! |
詢價 | |||
TOSHIBA/東芝 |
23+ |
NA/ |
988 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
TOSHIBA |
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TO-263 |
980 |
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23+ |
MODULE |
4500 |
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TOSHIBA/東芝 |
24+ |
TO-263 |
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TOSHIBA/東芝 |
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80000 |
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TOS |
24+ |
TO-220 |
1200 |
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