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GT15M321中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

GT15M321
廠商型號

GT15M321

功能描述

TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT

文件大小

269.01 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-21 18:31:00

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GT15M321規(guī)格書詳情

HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS

? Fourth-generation IGBT

? FRD included between emitter and collector

? Enhancement mode type

? High speed : tf = 0.20 μs (TYP.) (IC = 15 A)

? Low saturation voltage : VCE (sat) = 1.8V (TYP.)

(IC = 15A)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    GT15M321

  • 制造商:

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述:

    TRANS IGBT CHIP N-CH 900V 15A 3PIN TO-3P(N)IS - Rail/Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
TOSHIBA
11+
20
原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu)
詢價
SIL
專業(yè)模塊
MODULE
8513
模塊原裝主營-可開原型號增稅票
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TOSHIBA
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TO-3PL
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TOSHIBA
24+
TO-3P
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TOSHIBA
23+
TO-3P
5000
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TOSHIBA/東芝
23+
TO-3P
45000
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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