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40QR21

DiscreteIGBTsSiliconN-ChannelIGBT

Features 1.6.5thgeneration 2.TheRC-IGBTconsistsofafreewheelingdiodemonolithicallyintegratedinanIGBTchip. 3.Enhancementmode 4.High-speedswitching IGBT:tf=0.20μs(typ.)(IC=40A) FWD:trr=0.60μs(typ.)(IF=15A) 5.Lowsaturationvoltage:VC

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

GT40QR21

DiscreteIGBTsSiliconN-ChannelIGBT

Features 1.6.5thgeneration 2.TheRC-IGBTconsistsofafreewheelingdiodemonolithicallyintegratedinanIGBTchip. 3.Enhancementmode 4.High-speedswitching IGBT:tf=0.20μs(typ.)(IC=40A) FWD:trr=0.60μs(typ.)(IF=15A) 5.Lowsaturationvoltage:VC

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

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更多GT40QR21/TOSHIBA供應(yīng)商 更新時間2025-2-13 14:49:00

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