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GT40QR21 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 強(qiáng)茂

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原廠料號(hào)：GT40QR21品牌：強(qiáng)茂

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GT40QR21是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商強(qiáng)茂/Toshiba Semiconductor and Storage生產(chǎn)封裝TO-3P/TO-3P-3，SC-65-3的GT40QR21晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    GT40QR21

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    TOSHIBA【東芝】詳情

  • 廠商全稱：

    Toshiba Semiconductor

  • 中文名稱：

    株式會(huì)社東芝

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    10 頁(yè)

  • 文件大小：

    230.28 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    GT40QR21(STA1,E,D

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.7V @ 15V，40A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    -，290μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 測(cè)試條件：

    280V，40A，10 歐姆，20V

  • 工作溫度：

    175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-3P（N）

  • 描述：

    DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市鑫宇楊電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    肖先生/歐陽(yáng)小姐

  • 手機(jī)：

    13670052109/17820397287

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-36972287/0755-36972287

  • 傳真：

    0755-83950482

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)賽格科技園四棟西//香港九龍觀塘鴻圖大道55號(hào)京泰大廈1806室

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