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GT40T101中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

GT40T101
廠商型號

GT40T101

功能描述

N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER SWITHCING APPLICATIONS)

文件大小

207.51 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-14 20:00:00

GT40T101規(guī)格書詳情

Discrete IGBTs (PDF:875KB) 03/2011 :

http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429

* GT30G124

- Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 430V

- IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A

* GT30J124

- Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 600V

- IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A

Applications and Features : Plasma display panels

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    GT40T101

  • 制造商:

    Toshiba America Electronic Components

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
TOSHIBA/東芝
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