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GT40T302

Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

ParallelResonanceInverterSwitchingApplications ?FRDincludedbetweenemitterandcollector ?Enhancementmode ?HighspeedIGBT:tf=0.23μs(typ.)(IC=40A) FRD:trr=0.7μs(typ.)(di/dt=?20A/μs) ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=3.7V(typ.)(IC=

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

GT40T302

Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    GT40T302

  • 制造商：

    TOSHIBA

  • 制造商全稱：

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述：

    Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

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更多GT40T302供應(yīng)商 更新時間2025-4-26 14:56:00

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