GT50J121分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
GT50J121 |
| 參數(shù)屬性 | GT50J121 封裝/外殼為TO-3PL；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 50A 240W TO3P LH |
| 功能描述 | Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications |
| 封裝外殼 | TO-3PL |
| 文件大小 |
190.73 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
6 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Toshiba Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
TOSHIBA【東芝】 |
| 中文名稱 | 株式會社東芝官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-14 20:00:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
GT50J121(Q)
- 制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.45V @ 15V，50A
- 開關(guān)能量：
1.3mJ（開），1.34mJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
90ns/300ns
- 測試條件：
300V，50A，13 歐姆，15V
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-3PL
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-3P（LH）
- 描述：
IGBT 600V 50A 240W TO3P LH
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA(東芝) |
23+ |
NA/ |
8735 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢價 | ||
TOSHIBA/東芝 |
24+ |
TO3PL |
58000 |
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詢價 | ||
TOSHIBA/東芝 |
21+ |
TO-3PL |
1709 |
詢價 | |||
TOSHIBA |
1844+ |
TO-3P |
9852 |
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TOSHIBA |
TO-3PL |
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詢價 | |||
TOSHIBA/東芝 |
22+ |
TO-3PL |
12245 |
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TOS |
24+ |
TO-3PL |
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TOSHIBA |
22+23+ |
TO-3PL |
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TOSHIBA |
TO-3P |
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TOSHIBA |
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