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GT60N321分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

GT60N321
廠商型號(hào)

GT60N321

參數(shù)屬性

GT60N321 封裝/外殼為TO-3PL;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH

功能描述

IGBT

封裝外殼

TO-3PL

文件大小

363.33 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-5 23:00:00

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GT60N321規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

·Low Saturation Voltage:VCE(sat)=2.3V@IC=10A

·High Current Capability

·High Input Impedance

·Fast Switching

APPLICATIONS

·Frequency Converters

·Air Conditioning

·UPS,PFC

·Motor Drives

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    GT60N321(Q)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.8V @ 15V,60A

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    330ns/700ns

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-3PL

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-3P(LH)

  • 描述:

    IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
TOSHIBA/東芝
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