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GTVA101K42EV

Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 1400 W, 50 V, DC – 1400 MHz

Description TheGTVA101K42EVisa1400-wattGaNonSiChighelectronmobility transistor(HEMT)foruseintheDCto1400MHzfrequencyband.Itisa inputmatched,highefficiencydeviceinathermally-enhancedpackage withbolt-downflange. Features ?GaNonSiCHEMTtechnology ?Inputma

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

GTVA101K42EV

Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 1400 W, 50 V, 960 ??1215 MHz

CreeCree, Inc

科銳

GTVA101K42EV-AMP2

包裝:散裝 類別:開發(fā)板,套件,編程器 射頻評估和開發(fā)套件,開發(fā)板 描述:AMPLIFIER, 1030MHZ, GTVA101K42EV

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WOLFSPEED, INC.

GTVA101K42EV-V1-R0

Package:H-36275-4;包裝:托盤 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:GAN HEMT 50V 1400W 0.96-1.4GHZ

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

GTVA101K42EV-V1-R250

Package:H-36275-4;包裝:卷帶(TR) 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:GAN HEMT 50V 1400W 0.96-1.4GHZ

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Wolfspeed Inc.
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880000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
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更多GTVA101K42EV供應商 更新時間2025-5-15 10:44:00