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GTVA107001EC-V1-R2分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

GTVA107001EC-V1-R2
廠商型號

GTVA107001EC-V1-R2

參數(shù)屬性

GTVA107001EC-V1-R2 封裝/外殼為SOT-957A;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:700W, GAN HEMT, 50V, 0.9-1.2GHZ,

功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 700 W, 50 V, 960 ??1215 MHz

封裝外殼

SOT-957A

文件大小

253.63 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Cree, Inc
企業(yè)簡稱

Cree科銳

中文名稱

科銳官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-19 17:23:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    GTVA107001EC-V1-R250

  • 制造商:

    Wolfspeed, Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 系列:

    GaN

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    HEMT

  • 頻率:

    960MHz ~ 1.215GHz

  • 增益:

    20dB

  • 功率 - 輸出:

    700W

  • 封裝/外殼:

    SOT-957A

  • 供應商器件封裝:

    H-36248-2

  • 描述:

    700W, GAN HEMT, 50V, 0.9-1.2GHZ,

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