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GTVA107001EC-V1-R2分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
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廠商型號 |
GTVA107001EC-V1-R2 |
參數(shù)屬性 | GTVA107001EC-V1-R2 封裝/外殼為SOT-957A;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:700W, GAN HEMT, 50V, 0.9-1.2GHZ, |
功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 700 W, 50 V, 960 ??1215 MHz |
封裝外殼 | SOT-957A |
文件大小 |
253.63 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
8 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Cree, Inc |
企業(yè)簡稱 |
Cree【科銳】 |
中文名稱 | 科銳官網(wǎng) |
原廠標識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-2-19 17:23:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
GTVA107001EC-V1-R250
- 制造商:
Wolfspeed, Inc.
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 系列:
GaN
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類型:
HEMT
- 頻率:
960MHz ~ 1.215GHz
- 增益:
20dB
- 功率 - 輸出:
700W
- 封裝/外殼:
SOT-957A
- 供應商器件封裝:
H-36248-2
- 描述:
700W, GAN HEMT, 50V, 0.9-1.2GHZ,
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
244 |
現(xiàn)貨供應 |
詢價 | |||
CREE |
23+ |
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880000 |
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詢價 | ||
Wolfspeed |
H-37265J-2 |
22+ |
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