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H03N60E	文件：59.56 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power Field Effect Transistor Description ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegratdingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientde	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
H03N60F	文件：59.56 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegratdingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientde	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
IKD03N60RF	文件：1.71473 Mbytes Page：16 Pages	TRENCHSTOPTMRC-Seriesforhardswitchingapplicationsupto30kHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKD03N60RF	文件：886.12 Kbytes Page：16 Pages	??C-DFast??RC-DrivesIGBToptimizedforhighswitchingfrequency	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKD03N60RF	文件：368.29 Kbytes Page：2 Pages	RC-DriveandRC-DriveFast	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKD03N60RF	文件：1.92227 Mbytes Page：16 Pages	IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKD03N60RFA	文件：1.74998 Mbytes Page：16 Pages	OptimizedEon,EoffandQrrforlowswitchinglosses	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
ILA03N60	文件：330.78 Kbytes Page：15 Pages	LightMOSPowerTransistor LightMOSPowerTransistor ?NewhighvoltagetechnologydesignedforZVS-switchinginlamp ballasts ?IGBTwithintegratedreversediode ?4Acurrentratingforreversediode ?Upto10timeslowergatecapacitancethanMOSFET ?Avalancherated ?150°Coperatingtemperature ?FullPakis	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
ILB03N60	文件：330.78 Kbytes Page：15 Pages	LightMOSPowerTransistor LightMOSPowerTransistor ?NewhighvoltagetechnologydesignedforZVS-switchinginlamp ballasts ?IGBTwithintegratedreversediode ?4Acurrentratingforreversediode ?Upto10timeslowergatecapacitancethanMOSFET ?Avalancherated ?150°Coperatingtemperature ?FullPakis	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
ILD03N60	文件：330.78 Kbytes Page：15 Pages	LightMOSPowerTransistor LightMOSPowerTransistor ?NewhighvoltagetechnologydesignedforZVS-switchinginlamp ballasts ?IGBTwithintegratedreversediode ?4Acurrentratingforreversediode ?Upto10timeslowergatecapacitancethanMOSFET ?Avalancherated ?150°Coperatingtemperature ?FullPakis	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
H03N60E
制造商：
HSMC
制造商全稱(chēng)：
HSMC
功能描述：
N-Channel Power Field Effect Transistor

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市國(guó)宇半導(dǎo)體科技有限公司	H03N60E	H	23+	TO-220	10000	公司只做原裝正品	詢(xún)價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	H03N60E	H	22+	TO-220	6000	十年配單,只做原裝	詢(xún)價(jià)
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	H03N60E	H	23+	TO-220	6000	原裝正品，支持實(shí)單	詢(xún)價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	H03N60E	H	22+	TO-220	25000	只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專(zhuān)注配單	詢(xún)價(jià)
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	H03N60E	H	24+	TO-TO-220	12300	獨(dú)立分銷(xiāo)商公司只做原裝誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證	詢(xún)價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	H03N60F	華昕	23+	TO220F	28888	原廠授權(quán)一級(jí)代理,專(zhuān)業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種	詢(xún)價(jià)
深圳良洲科技有限公司	H-03R4Y1K20388-01	萬(wàn)潤(rùn)	兩年內(nèi)	NA	985	實(shí)單價(jià)格可談	詢(xún)價(jià)
深圳市米特爾科技有限公司	H03VVH2-F0.75	JST/日壓	22+	連接器	728922	代理-優(yōu)勢(shì)-原裝-正品-現(xiàn)貨*期貨	詢(xún)價(jià)
深圳誠(chéng)思涵科技有限公司	H04	ROHM	16+	SOT-23	10000	進(jìn)口原裝現(xiàn)貨/價(jià)格優(yōu)勢(shì)!	詢(xún)價(jià)
深圳市恒創(chuàng)達(dá)實(shí)業(yè)有限公司	H04	ROHM	17+	SOT-23	6200	100%原裝正品現(xiàn)貨	詢(xún)價(jià)

更多H03N60E供應(yīng)商更新時(shí)間2025-2-6 14:30:00

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