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H04N60E中文資料華昕數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

H04N60E
廠商型號(hào)

H04N60E

功能描述

N-Channel Power Field Effect Transistor

文件大小

60.85 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Hi-Sincerity Mocroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

HSMC華昕

中文名稱

華昕科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-2-20 18:47:00

H04N60E規(guī)格書詳情

Description

This advanced high voltage MOSFET is designed to withstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode with fast recovery time. Designed for high voltage, high speed switching applications such as power suplies, converters, power motor controls and bridge circuits.

Features

? Higher Current Rating

? Lower RDS(on)

? Lower Capacitances

? Lower Total Gate Charge

? Tighter VSD Specifications

? Avalanche Energy Specified

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    H04N60E

  • 制造商:

    HSMC

  • 制造商全稱:

    HSMC

  • 功能描述:

    N-Channel Power Field Effect Transistor

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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