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H5MS5162EFR-J3M

HYNIX
BGA

HynixHynix Semiconductor

海力士海力士半導(dǎo)體

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H5MS5162EFR-J3M

HY
BGA

HY

HY ELECTRONIC CORP.

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HYNIX
NA/

HynixHynix Semiconductor

海力士海力士半導(dǎo)體

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HYNIX
BGA

HynixHynix Semiconductor

海力士海力士半導(dǎo)體

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HY
BGA

Hyundai

hyundai-electronics

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    H5MS5162EFR-J3M

  • 制造商:

    SK Hynix Inc

  • 功能描述:

    SDRAM MOBILE DDR 512MB(X16) 60FBGA

  • 功能描述:

    SDRAM, MOBILE DDR, 512MB(X16), 60FBGA

  • 功能描述:

    SDRAM, MOBILE DDR, 512MB(X16), 60FBGA, Memory

  • Type:

    DRAM - Synchronous, Memory C

  • Type:

    DRAM - Synchronous, Memory

  • Configuration:

    32M x 16, Memory Case

  • Style:

    FBGA, No. of

  • Pins:

    60, IC Interface

  • Type:

    LVCMOS, Operating Temperature

  • Min:

    -30C, Operating Temperature

  • Max:

    85C, , RoHS

  • Compliant:

    Yes

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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BGA
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