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iscP-ChannelMOSFETTransistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Surfacemount(IRFR9014,SiHFR9014) ?Straightlead(IRFU9014,SiHFU9014) ?Availableintapeandreel ?P-channel ?Fastswitching ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
P-ChannelEnhancementModeMOSFETl Features *Vos=60V=-13A Rosion100mQ@Ves=10V Rosion110mQ@Vos=-4.5V(TYP) | TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 臺舟電子臺舟電子股份有限公司 | TECHPUBLIC | ||
iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-5.1A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
HEXFET?PowerMOSFET Description ThirdGenerationHESFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?SurfaceMount(IRFR9014) ?StraightL | IRF International Rectifier | IRF | ||
PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th | KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd. | KERSEMI | ||
PowerMOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th | KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd. | KERSEMI |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
- 性質(zhì)：
- 封裝形式：
- 極限工作電壓：
50V
- 最大電流允許值：
0.1A
- 最大工作頻率：
150MHZ
- 引腳數(shù)：
- 可代換的型號：
- 最大耗散功率：
0.45W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
NO
- vtest：
50
- htest：
150000000
- atest：
0.1
- wtest：
0.45
詳細參數(shù)
- 型號：
H9014
- 制造商：
HUASHAN
- 制造商全稱：
HUASHAN
- 功能描述：
NPN SILICON TRANSISTOR
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
16+ |
BGA |
2500 |
進口原裝現(xiàn)貨/價格優(yōu)勢! |
詢價 | |||
J6H9014C |
SOT23 |
3000 |
全新原裝現(xiàn)貨 樣品可售 |
詢價 | |||
HUASHAN/華汕 |
23+ |
TO-92 |
10000 |
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
詢價 | ||
HIT |
TO-92 |
8553 |
一級代理 原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨 |
詢價 | |||
RENESAS/瑞薩 |
24+ |
NC |
8600 |
正品原裝,正規(guī)渠道,免費送樣。支持賬期,BOM一站式配齊 |
詢價 | ||
HITACHI |
24+ |
TO-92 |
5000 |
全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
HITACHI/日立 |
23+ |
TO-92 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
HITACHI/日立 |
23+ |
NA/ |
8250 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票 |
詢價 | ||
HIT |
23+ |
TO-92 |
54819 |
##公司主營品牌長期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù) |
詢價 | ||
Harwin |
2020+ |
N/A |
1683 |
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詢價 |
