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H9926S中文資料華昕數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

H9926S
廠商型號

H9926S

功能描述

Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (20V, 6A)

文件大小

45.67 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Hi-Sincerity Mocroelectronics
企業(yè)簡稱

HSMC華昕

中文名稱

華昕科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-2-11 20:00:00

H9926S規(guī)格書詳情

Description

This N-Channel 2.5V specified MOSFET is a rugged gate version of advanced trench process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (2.5V-10V)

Features

? RDS(on)=40m?@VGS=2.5V, ID=5.2A; RDS(on)=30m?@VGS=4.5V, ID=6A

? High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance

? High Power and Current Handing Capability

? Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

? Ideal for Li ion Battery Pack Applications

Applications

? Battery Protection

? Load Switch

? Power Management

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    H9926S

  • 制造商:

    HSMC

  • 制造商全稱:

    HSMC

  • 功能描述:

    Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET(20V, 6A)

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
HI-SIN華昕
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