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H9926TS中文資料華昕數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

H9926TS
廠商型號(hào)

H9926TS

功能描述

Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (20V, 6A)

文件大小

44.8 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Hi-Sincerity Mocroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

HSMC華昕

中文名稱

華昕科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-22 18:29:00

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H9926TS規(guī)格書詳情

Description

This N-Channel 2.5V specified MOSFET is a rugged gate version of advanced trench process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (2.5V-10V)

Features

? RDS(on)=40m?@VGS=2.5V, ID=5.2A; RDS(on)=30m?@VGS=4.5V, ID=6A

? High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance

? High Power and Current Handing Capability

? Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

? Ideal for Li ion Battery Pack Applications

Applications

? Battery Protection

? Load Switch

? Power Management

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    H9926TS

  • 制造商:

    HSMC

  • 制造商全稱:

    HSMC

  • 功能描述:

    Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET(20V, 6A)

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
COMON
23+
DO-35
54872
##公司主營(yíng)品牌長(zhǎng)期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù)
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