HAT2164H中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
HAT2164H規(guī)格書詳情
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
Features
?? Capable of 4.5 V gate drive
?? Low drive current
?? High density mounting
?? Low on-resistance
?? RDS(on) = 2.5 m?typ. (at VGS= 10 V)
產(chǎn)品屬性
- 型號：
HAT2164H
- 功能描述：
MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
-
- 標準包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/東芝 |
23+ |
TO-220SI |
69820 |
終端可以免費供樣,支持BOM配單! |
詢價 | ||
Renesas(瑞薩) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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詢價 | ||
RENESAS |
2024+ |
N/A |
70000 |
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詢價 | ||
RENESAS/瑞薩 |
21+ |
SOT669 |
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Renesas |
22+ |
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9000 |
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RENESAS/瑞薩 |
22+ |
SOT669 |
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RENESAS |
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LFAPK |
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RENESAS/瑞薩 |
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LFPAK |
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23+ |
65480 |
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