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IRF320

2.8Aand3.3A,350Vand400V,1.8and2.5Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs

Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica

Intersil

Intersil Corporation

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更多HB-320供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-1 15:34:00

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