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IIRFR1010Z	文件：335.26 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IMXRT1010CEC	文件：1.25693 Mbytes Page：65 Pages	i.MXRT1010CrossoverProcessorsDataSheetforConsumerProducts	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
IMXRT1010IEC	文件：1.28235 Mbytes Page：65 Pages	i.MXRT1010CrossoverProcessorsDataSheetforIndustrialProducts	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
IPT-1010	文件：96.18 Kbytes Page：2 Pages	ICReferenceDesignTransformers	ICE ice Components, Ins.	ICE
IRF1010	文件：632.22 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導(dǎo)體尼爾半導(dǎo)體股份有限公司	NELLSEMI
IRF1010E	文件：195.51 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=60V,Rds(on)=12mohm,Id=84A? ?AdvancedProcessTechnology ?UltraLowOn-Resistance ?Dynamicdv/dtRating ?175°COperatingTemperature ?FastSwitching ?FullyAvalancheRated Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveex	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010E	文件：786.41 Kbytes Page：8 Pages	UltraLowOn-Resistance	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF1010E	文件：338.48 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF1010EL	文件：123.94 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=60V,Rds(on)=12mohm,Id=84A?? Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010ELPBF	文件：218.72 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRF International Rectifier	IRF

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