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HGTG10N120BND 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

HGTG10N120BND參考圖片

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  • 廠家型號：

    HGTG10N120BND

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ONSEMI

  • 庫存數(shù)量：

    10248

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO247-3

  • 生產(chǎn)批號：

    24+/25+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2025-3-26 15:00:00

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原廠料號：HGTG10N120BND品牌：ONSEMI

20年芯片代理現(xiàn)貨分銷正品保證

HGTG10N120BND是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ONSEMI/onsemi生產(chǎn)封裝TO247-3/TO-247-3的HGTG10N120BND晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    HGTG10N120BND

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    INTERSIL詳情

  • 廠商全稱：

    Intersil Corporation

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    7 頁

  • 文件大?。?/span>

    82.69 kb

  • 資料說明：

    35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    HGTG10N120BND

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.7V @ 15V，10A

  • 開關(guān)能量：

    850μJ（開），800μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    23ns/165ns

  • 測試條件：

    960V，10A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT NPT 1200V 35A TO247-3

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市華博特電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    代理商

  • 手機(jī)：

    13632684223

  • 詢價：
  • 電話：

    13632684223

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振中路與中航路交匯處新亞洲國利大廈1202

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