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HGTG12N60A4分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
HGTG12N60A4 |
| 參數(shù)屬性 | HGTG12N60A4 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 54A 167W TO247 |
| 功能描述 | 600V, SMPS Series N-Channel IGBTs |
| 封裝外殼 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
229.61 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
8 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Fairchild Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
Fairchild【仙童半導體】 |
| 中文名稱 | 飛兆/仙童半導體公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-7 10:53:00 |
HGTG12N60A4規(guī)格書詳情
The HGTP12N60A4, HGTG12N60A4 and HGT1S12N60A4S9A are MOS gated high voltage switching devices combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. These devices have the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25oC and 150°C.
This IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at high frequencies where low conduction losses are essential. This device has been optimized for high frequency switch mode power supplies.
Features
? >100kHz Operation at 390V, 12A
? 200kHz Operation at 390V, 9A
? 600V Switching SOA Capability
? Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . . 70ns at TJ = 125°C
? Low Conduction Loss
? Related Literature
- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount
Components to PC Boards
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
HGTG12N60A4
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，12A
- 開關(guān)能量：
55μJ（開），50μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標準
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
17ns/96ns
- 測試條件：
390V，12A，10 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-247-3
- 描述：
IGBT 600V 54A 167W TO247
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FSC |
22+23+ |
TO-247 |
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FSC |
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FAIRCHLD |
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TO-3P |
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Fairchild(飛兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
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FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
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2023+ |
TO-263 |
50000 |
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