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HGTG20N60A4分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

HGTG20N60A4
廠商型號(hào)

HGTG20N60A4

參數(shù)屬性

HGTG20N60A4 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 70A TO247-3

功能描述

600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

351.72 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Intersil Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Intersil

中文名稱

Intersil Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-25 23:45:00

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HGTG20N60A4規(guī)格書詳情

The HGTG20N60A4D is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25oC and 150oC. The IGBT used is the development type TA49339. The diode used in anti-parallel is the development type TA49372.

Features

? >100kHz Operation At 390V, 20A

? 200kHz Operation At 390V, 12A

? 600V Switching SOA Capability

? Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . . 55ns at TJ = 125°C

? Low Conduction Loss

? Temperature Compensating SABER? Model www.intersil.com

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    HGTG20N60A4

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.7V @ 15V,20A

  • 開關(guān)能量:

    105μJ(開),150μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    15ns/73ns

  • 測(cè)試條件:

    390V,20A,3 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 600V 70A TO247-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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