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HGTG40N60B3分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

HGTG40N60B3
廠商型號

HGTG40N60B3
參數(shù)屬性

HGTG40N60B3 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 70A 290W TO247
功能描述

70A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT
封裝外殼

TO-247-3
文件大小

90.25 Kbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild【仙童半導體】

中文名稱

飛兆/仙童半導體公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-14 22:59:00

HGTG40N60B3規(guī)格書詳情

70A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT

The HGTG40N60B3 is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. The device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25oC and 150oC.

The IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as: AC and DC motor controls, power supplies and drivers for solenoids, relays and contactors.

Formerly Developmental Type TA49052.

Features

? 70A, 600V, TC= 25oC

? 600V Switching SOA Capability

? Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 100ns at TJ= 150oC

? Short Circuit Rating

? Low Conduction Loss

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    HGTG40N60B3

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，40A

  • 開關能量：

    1.05mJ（開），800μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    47ns/170ns

  • 測試條件：

    480V，40A，3 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT 600V 70A 290W TO247

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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