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HGTP2N120CN分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

HGTP2N120CN
廠商型號

HGTP2N120CN

參數(shù)屬性

HGTP2N120CN 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 13A 104W TO220AB

功能描述

13A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

498.55 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-28 10:18:00

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    HGTP2N120CN

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.4V @ 15V,2.6A

  • 開關(guān)能量:

    96μJ(開),355μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    25ns/205ns

  • 測試條件:

    960V,2.6A,51 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220-3

  • 描述:

    IGBT 1200V 13A 104W TO220AB

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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