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HO-NP-2017	文件：929.58 Kbytes Page：12 Pages	CurrentTransducer	LEMlem 萊姆萊姆集團(tuán)	LEM
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IQ2017	文件：271.61 Kbytes Page：3 Pages	Inductivesensor	IFMifm electronic Ltd. 易福門電子易福門電子（上海）有限公司（中國總部）	IFM
ISG2017	文件：375.85 Kbytes Page：3 Pages	IGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.56V@IC=20A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·InductionHeating,UPS ·AC&DCmotorcontrolsandgeneralpurposeinverters	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
ISG2017	文件：323.71 Kbytes Page：2 Pages	IGBT FEATURES ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=3.0VMax.@IC=40A ·Highcurrenthandlingcapability ·LowPowerLoss APPLICATIONS ·ACmotorspeedcontrol ·Uninterruptiblepowersupplies(UPS) ·Welding	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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KTA2017	文件：231.76 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(LOWNOISEAMPLIFIER) LOWNOISEAMPLIFIERAPPLICATION. FEATURES ?HighVoltage:VCEO=-120V. ?ExcellenthFELinearity :hFE(0.1mA)/hFE(2mA)=0.95(Typ.). ?HighhFE:hFE=200～700. ?LowNoise:NF=1dB(Typ.),10dB(Max.). ?ComplementarytoKTC4077.	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KTD2017	文件：47.11 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelSiliconMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN

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