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HIP2101IRZT

Package：16-VQFN 裸露焊盤；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 柵極驅(qū)動器 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN

Renesas Electronics America Inc

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HM2101

HighandLowSideDriver

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

華之美半導體深圳市華之美半導體有限公司

HM2101A

Floatingchanneldesignedforbootstrapoperation

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

華之美半導體深圳市華之美半導體有限公司

HM2101B

HighpowerMOStube,IGBTtubegatedriverchip

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

華之美半導體深圳市華之美半導體有限公司

HM2101F

Floatingchanneldesignedforbootstrapoperation

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

華之美半導體深圳市華之美半導體有限公司

HO-NP-2101

CurrentTransducer

LEMlem

萊姆萊姆集團

HO-P-2101

CurrentTransducer

LEMlem

萊姆萊姆集團

IR2101

HIGHANDLOWSIDEDRIVER

Description TheIR2101(S)/IR2102(S)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.Thelogicinputiscompatiblewithstandard

IRF

International Rectifier

IR2101

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IRF

International Rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    HIP2101IRZT

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 驅(qū)動配置：

    半橋

  • 通道類型：

    獨立式

  • 柵極類型：

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電：

    9V ~ 14V

  • 邏輯電壓?- VIL，VIH：

    0.8V，2.2V

  • 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：

    2A，2A

  • 輸入類型：

    非反相

  • 上升/下降時間（典型值）：

    10ns，10ns

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    16-VQFN 裸露焊盤

  • 供應商器件封裝：

    16-QFN（5x5）

  • 描述：

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN

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更多HIP2101IRZT供應商 更新時間2025-5-17 16:47:00

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