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HIP6601BECBZA集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料

HIP6601BECBZA
廠商型號(hào)

HIP6601BECBZA

參數(shù)屬性

HIP6601BECBZA 封裝/外殼為8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)裸露焊盤(pán);包裝為管件;類(lèi)別為集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

功能描述

Synchronous Rectified BuckMOSFET Drivers

絲印標(biāo)識(shí)

6601BECBZ

封裝外殼

8LdEPSOIC / 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)裸露焊盤(pán)

文件大小

682.09 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

14 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-5 10:30:00

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HIP6601BECBZA規(guī)格書(shū)詳情

Synchronous Rectified BuckMOSFET Drivers

The HIP6601B, HIP6603B and HIP6604B are highfrequency, dual MOSFET drivers specifically designed to

drive two power N-Channel MOSFETs in a synchronous

rectified buck converter topology. These drivers combined

with a HIP63xx or the ISL65xx series of Multi-Phase Buck

PWM controllers and MOSFETs form a complete core-voltage regulator solution for advanced microprocessors.

Features

? Drives Two N-Channel MOSFETs

? Adaptive Shoot-Through Protection

? Internal Bootstrap Device

? Supports High Switching Frequency

- Fast Output Rise Time

- Propagation Delay 30ns

? Small 8 Ld SOIC and EPSOIC and 16 Ld QFN Packages

? Dual Gate-Drive Voltages for Optimal Efficiency

? Three-State Input for Output Stage Shutdown

? Supply Undervoltage Protection

? QFN Package

- Compliant to JEDEC PUB95 MO-220 QFN—Quad Flat No Leads—Product Outline.

- Near Chip-Scale Package Footprint; Improves PCB Efficiency and Thinner in Profile.

? Pb-Free (RoHS Compliant)

Applications

? Core Voltage Supplies for Intel Pentium? III, AMD? Athlon? Microprocessors

? High Frequency Low Profile DC/DC Converters

? High Current Low Voltage DC/DC Converters

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    HIP6601BECBZA

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類(lèi)別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝:

    管件

  • 驅(qū)動(dòng)配置:

    半橋

  • 通道類(lèi)型:

    同步

  • 柵極類(lèi)型:

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    10.8V ~ 13.2V

  • 輸入類(lèi)型:

    非反相

  • 上升/下降時(shí)間(典型值):

    20ns,20ns

  • 工作溫度:

    0°C ~ 125°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)裸露焊盤(pán)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-SOIC-EP

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Intersil
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9000
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