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PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Forautomaticinsertion ?Endstackable ?P-channel ?175°Coperatingtemperature ?Fastswitching ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdgeneration | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyandd | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFETTRANSISTORS REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFETTRANSISTORS P-CHANNEL -50Volt,0.20OhmHEXFET | IRF International Rectifier | IRF | ||
PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyand | KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd. | KERSEMI | ||
iscP-ChannelMOSFETTransistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
PowerMOSFET FEATURES ?Surfacemountable(orderasIRFR9020, SiHFR9020) ?Straightleadoption(orderasIRFU9020, SiHFU9020) ?Repetitiveavalancheratings ?DynamicdV/dtrating ?Simpledriverequirements ?Easeofparalleling ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseeww | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-9.9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-50V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.28Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyandd | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyand | KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd. | KERSEMI | ||
PowerMOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性質(zhì)：
調(diào)幅 （AM）_調(diào)頻 （FM）_自動增益 （re）
- 封裝形式：
- 極限工作電壓：
- 最大電流允許值：
- 最大工作頻率：
375MHZ
- 引腳數(shù)：
- 可代換的型號：
BF450,
- 最大耗散功率：
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
NO
- vtest：
0
- htest：
375000000
- atest：
0
- wtest：
0
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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HIT |
23+ |
TO92L |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
HIT |
14+ |
TO92L |
2500 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
HIT |
20+ |
TO92L |
2500 |
進口原裝現(xiàn)貨,假一賠十 |
詢價 | ||
MURATA |
24+/25+ |
300 |
原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu) |
詢價 | |||
MURATA/村田 |
23+ |
10000 |
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
詢價 | |||
1822+ |
BGA |
9852 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險!! |
詢價 | |||
HIT |
2023+環(huán)?，F(xiàn)貨 |
BGA |
80 |
專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)等方案配套一站式服務(wù) |
詢價 | ||
23+ |
SOP32 |
16567 |
正品:QQ;2987726803 |
詢價 | |||
05+ |
原廠原裝 |
4341 |
只做全新原裝真實現(xiàn)貨供應(yīng) |
詢價 | |||
24+ |
SMD |
3200 |
絕對原裝自家現(xiàn)貨!真實庫存!歡迎來電! |
詢價 |
