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HM6409中文資料華之美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

HM6409
廠商型號(hào)

HM6409

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

6409

封裝外殼

SOT-23-6L

文件大小

1.0131 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd
企業(yè)簡(jiǎn)稱

HMSEMI華之美半導(dǎo)體

中文名稱

深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-14 18:14:00

HM6409規(guī)格書詳情

Description

The HM6409 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications.

Features

● VDS = -20V,ID = -5.0A

RDS(ON) <75m? @ VGS=-2.5V

RDS(ON) < 52m? @ VGS=-4.5V

● High power and current handing capability

● Lead free product is acquired

● Surface mount package

Application

● PWM applications

● Load switch

● Power management

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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