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HMC-ALH311RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
HMC-ALH311 |
| 參數(shù)屬性 | HMC-ALH311 封裝/外殼為模具；包裝為卷帶（TR）；類別為RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器；產品描述：IC RF AMP GP 22GHZ-26.5GHZ DIE |
| 功能描述 | GaAs HEMT MMIC LOW NOISE DRIVER AMPLIFIER, 22.0 - 26.5 GHz |
| 封裝外殼 | 模具 |
| 文件大小 |
193.2 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
6 頁 |
| 生產廠商 | Hittite Microwave Corporation |
| 企業(yè)簡稱 |
Hittite |
| 中文名稱 | Hittite Microwave Corporation官網 |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-5-5 13:30:00 |
| 人工找貨 | HMC-ALH311價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
HMC-ALH311規(guī)格書詳情
General Description
The HMC-ALH311 is a GaAs MMIC HEMT Low Noise Driver Amplifi er die which operates between 22 and 26.5 GHz. The amplifi er provides 25 dB of gain, a typical noise fi gure of 3 dB at 25 GHz, and +12 dBm of output power at 1 dB gain compression while requiring only 52 mA from a +2.5V supply voltage. The HMC-ALH311 is ideal for microwave radio driver amplifi er applications between 22 to 26.5 GHz. Due to its small size, the HMC-ALH311 die is ideal for integration into Multi-Chip-Modules (MCMs).
Features
P1dB Output Power: +12 dBm
Gain: 25 dB
Noise Figure: 3 dB @ 25 GHz
Supply Voltage: +2.5V @ 52 mA
Die Size: 1.80 x 0.73 x 0.1 mm
Typical Applications
This HMC-ALH311 is ideal for:
? Point-to-Point Radios
? Point-to-Multi-Point Radios
? Military & Space
? Test Instrumentation
產品屬性
- 產品編號：
HMC-ALH311
- 制造商：
Analog Devices Inc.
- 類別：
RF/IF，射頻/中頻和 RFID > 射頻放大器
- 包裝：
卷帶（TR）
- 頻率：
22GHz ~ 26.5GHz
- P1dB：
12dBm
- 增益：
25dB
- 噪聲系數(shù)：
3.5dB
- 射頻類型：
通用
- 電壓 - 供電：
2.5V
- 電流 - 供電：
52mA
- 測試頻率：
22GHz ~ 24GHz
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
模具
- 供應商器件封裝：
模具
- 描述：
IC RF AMP GP 22GHZ-26.5GHZ DIE
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ADI |
2405+ |
原廠封裝 |
12500 |
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詢價 | ||
HITTITE |
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SMD |
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詢價 | ||
ADI(亞德諾)/LINEAR |
2021+ |
- |
499 |
詢價 | |||
ADI/亞德諾 |
22+ |
Chip |
13000 |
原裝正品 |
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ADI |
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ADI/亞德諾 |
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Chip |
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