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HMC-ALH435RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
HMC-ALH435 |
| 參數(shù)屬性 | HMC-ALH435 封裝/外殼為模具；包裝為卷帶（TR）；類別為RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器；產(chǎn)品描述：IC RF AMP VSAT 5GHZ-20GHZ DIE |
| 功能描述 | GaAs HEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 5 - 20 GHz |
| 封裝外殼 | 模具 |
| 文件大小 |
209.98 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
6 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Hittite Microwave Corporation |
| 企業(yè)簡稱 |
Hittite |
| 中文名稱 | Hittite Microwave Corporation官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-4 11:16:00 |
| 人工找貨 | HMC-ALH435價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
HMC-ALH435規(guī)格書詳情
General Description
The HMC-ALH435 is a GaAs MMIC HEMT Low Noise Wideband Amplifi er die which operates between 5 and 20 GHz. The amplifi er provides 13 dB of gain, 2.2 dB noise fi gure at 12 GHz and +16 dBm of output power at 1 dB gain compression while requiring only 30 mA from a +5V supply voltage. The HMC-ALH435 amplifi er is ideal for integration into Multi-ChipModules (MCMs) due to its small size.
Features
Noise Figure: 2.2 dB @ 12 GHz
Gain: 13 dB @ 14 GHz
P1dB Output Power: +16 dBm @ 12 GHz
Supply Voltage: +5V @ 30 mA
Die Size: 1.48 x 0.9 x 0.1 mm
Typical Applications
This HMC-ALH435 is ideal for:
? Wideband Communication Systems
? Surveillance Systems
? Point-to-Point Radios
? Point-to-Multi-Point Radios
? Military & Space
? Test Instrumentation
? VSAT
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
HMC-ALH435
- 制造商：
Analog Devices Inc.
- 類別：
RF/IF，射頻/中頻和 RFID > 射頻放大器
- 包裝：
卷帶（TR）
- 頻率：
5GHz ~ 20GHz
- P1dB：
16dBm
- 增益：
13dB
- 噪聲系數(shù)：
2.2dB
- 射頻類型：
VSAT
- 電壓 - 供電：
5V
- 電流 - 供電：
30mA
- 測試頻率：
5GHz ~ 20GHz
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
模具
- 供應(yīng)商器件封裝：
模具
- 描述：
IC RF AMP VSAT 5GHZ-20GHZ DIE
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ADI(亞德諾) |
24+ |
SMD |
1511 |
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詢價(jià) | ||
ADI/亞德諾 |
25+ |
原封裝 |
18000 |
全新原裝 |
詢價(jià) | ||
24+ |
N/A |
76000 |
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ADI |
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ADI(亞德諾) |
22+ |
N/A |
10000 |
原裝,BOM表可配單 |
詢價(jià) |
