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HMC-ALH435RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器規(guī)格書PDF中文資料

HMC-ALH435
廠商型號

HMC-ALH435

參數(shù)屬性

HMC-ALH435 封裝/外殼為模具;包裝為卷帶(TR);類別為RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器;產(chǎn)品描述:IC RF AMP VSAT 5GHZ-20GHZ DIE

功能描述

GaAs HEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER
IC RF AMP VSAT 5GHZ-20GHZ DIE

封裝外殼

模具

文件大小

295.11 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Analog Devices
企業(yè)簡稱

AD亞德諾

中文名稱

亞德諾半導體技術(shù)有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-4 11:16:00

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HMC-ALH435規(guī)格書詳情

HMC-ALH435屬于RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器。由亞德諾半導體技術(shù)有限公司制造生產(chǎn)的HMC-ALH435射頻放大器在射頻應用中,射頻放大器產(chǎn)品可用于信號增益和緩沖。這些產(chǎn)品與通用運算放大器的不同之處在于,它們通常適用于更高的頻率,更傾向于提供不可調(diào)節(jié)的固定增益,并且輸入或輸出阻抗值符合常用傳輸線特性阻抗。

General Description

The HMC-ALH435 is a GaAs MMIC HEMT Low Noise Wideband Amplifi er die which operates between 5 and 20 GHz. The amplifi er provides 13 dB of gain, 2.2 dB noise fi gure at 12 GHz and +16 dBm of output power at 1 dB gain compression while requiring only 30 mA from a +5V supply voltage. The HMC-ALH435 amplifi er is ideal for integration into Multi-Chip-Modules (MCMs) due to its small size.

Features

Noise Figure: 2.2 dB @ 12 GHz

Gain: 13 dB @ 14 GHz

P1dB Output Power: +16 dBm @ 12 GHz

Supply Voltage: +5V @ 30 mA

Die Size: 1.48 x 0.9 x 0.1 mm

Typical Applications

This HMC-ALH435 is ideal for:

? Wideband Communication Systems

? Surveillance Systems

? Point-to-Point Radios

? Point-to-Multi-Point Radios

? Military & Space

? Test Instrumentation

? VSAT

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    HMC-ALH435

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 類別:

    RF/IF,射頻/中頻和 RFID > 射頻放大器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 頻率:

    5GHz ~ 20GHz

  • P1dB:

    16dBm

  • 增益:

    13dB

  • 噪聲系數(shù):

    2.2dB

  • 射頻類型:

    VSAT

  • 電壓 - 供電:

    5V

  • 電流 - 供電:

    30mA

  • 測試頻率:

    5GHz ~ 20GHz

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    模具

  • 供應商器件封裝:

    模具

  • 描述:

    IC RF AMP VSAT 5GHZ-20GHZ DIE

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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