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HMC646LP2ERF/IF射頻/中頻RFID的射頻開(kāi)關(guān)規(guī)格書(shū)PDF中文資料

HMC646LP2E
廠商型號(hào)

HMC646LP2E

參數(shù)屬性

HMC646LP2E 封裝/外殼為6-TDFN 裸露焊盤(pán);包裝為托盤(pán);類(lèi)別為RF/IF射頻/中頻RFID的射頻開(kāi)關(guān);產(chǎn)品描述:IC RF SWITCH SPDT 2.1GHZ 6DFN

功能描述

GaAs MMIC 40W FAILSAFE SWITCH, 0.1 - 2.1 GHz

封裝外殼

6-TDFN 裸露焊盤(pán)

文件大小

247.35 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Hittite Microwave Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

Hittite

中文名稱(chēng)

Hittite Microwave Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-27 23:01:00

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    HMC646LP2E

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 類(lèi)別:

    RF/IF,射頻/中頻和 RFID > 射頻開(kāi)關(guān)

  • 包裝:

    托盤(pán)

  • 射頻類(lèi)型:

    手機(jī),TD-SCDMA

  • 拓?fù)洌?/span>

    反射

  • 電路:

    SPDT

  • 頻率范圍:

    100MHz ~ 2.1GHz

  • 隔離:

    32dB

  • 插損:

    1.3dB

  • 測(cè)試頻率:

    2.025GHz

  • IIP3:

    34dBm

  • 阻抗:

    50 歐姆

  • 電壓 - 供電:

    3V ~ 8V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C

  • 封裝/外殼:

    6-TDFN 裸露焊盤(pán)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    6-DFN(2x2)

  • 描述:

    IC RF SWITCH SPDT 2.1GHZ 6DFN

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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正納10年以上分銷(xiāo)經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持
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