首頁>HN3C10FUTE85LF>詳情

HN3C10F 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

HN3C10F參考圖片

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：HN3C10F

原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨!

HN3C10F是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商Toshiba Semiconductor and Storage生產(chǎn)封裝SOT-363/6-TSSOP，SC-88，SOT-363的HN3C10F晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導(dǎo)體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

  • 芯片型號：

    HN3C10F

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    TOSHIBA【東芝】詳情

  • 廠商全稱：

    Toshiba Semiconductor

  • 中文名稱：

    株式會社東芝

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    1 頁

  • 文件大小：

    90.93 kb

  • 資料說明：

    NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS)

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    HN3C10FUTE85LF

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    2 NPN（雙）

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    12V

  • 頻率 - 躍遷：

    7GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：

    1.1dB @ 1GHz

  • 增益：

    11.5dB

  • 功率 - 最大值：

    200mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    80 @ 20mA，10V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    80mA

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    6-TSSOP，SC-88，SOT-363

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    US6

  • 描述：

    RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市匯萊威科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    司先生

  • 手機(jī)：

    18126328660

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-82785677

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華富路1046號華康大夏2棟503

相近型號