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INA230AIRGTT

INA23036-V,16-Bit,I2COutputCurrent,VoltageandPowerMonitorWithAlert

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

INA230AIRGTT

High-orLow-SideMeasurement

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

INA230AIRGTT

High-orLow-SideMeasurement,BidirectionalCURRENT/POWERMONITORwithI2CInterface

TI1Texas Instruments

德州儀器

INA230EVM

INA230EVMEvaluationBoardandSoftwareTutorial

TI1Texas Instruments

德州儀器

IRF230

N-CHANNELPOWERMOSFETS

FEATURES ?LowRDS(on) ?Improvedinductiveruggedness ?Fsatswitchingtimes ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Lowinputcapacitance ?Extendedsafeoperatingarea ?Improvedhightemperaturereliability ?TO-3package(Standard)

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導體

IRF230

N-ChannelPowerMOSFETs,12A,150-200V

Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VQSRatedat±20V

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

IRF230

8.0Aand9.0A,150Vand200V,0.4and0.6Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs

Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica

Intersil

Intersil Corporation

IRF230

N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFET

SEME-LAB

Seme LAB

IRF230

REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFETTRANSISTORSTHRU-HOLE(TO-204AA/AE)

200Volt,0.40?HEXFET HEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryachievesverylowonstateresistancecombinedwithhightransconductance. HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-establishadvantag

IRF

International Rectifier

IRF230

N-ChannelPowerMOSFETs,12A,150-200V

Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VQSRatedat±20V ●

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    HS230F

  • 制造商：

    CAP-XX Ltd Supercapacitors

  • 類別：

    電容器 > 雙電層電容器（EDLC），超級電容器

  • 包裝：

    散裝

  • 容差：

    ±20%

  • ESR（等效串聯(lián)電阻）：

    54 毫歐

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    3-SMD，鷗翼

  • 大小 / 尺寸：

    1.535" 長 x 0.669" 寬（39.00mm x 17.00mm）

  • 高度 - 安裝（最大值）：

    0.154"（3.90mm）

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C

  • 描述：

    CAP 1200MF 5.5V -40-+85C

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
22+
N/A
3206
原裝正品物料
 詢價
PERSEMI
23+
DIP
28000
原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
 詢價
RENESAS
23+
65480
詢價
HARRIS
新
8
全新原裝 貨期兩周
 詢價
H
24+
CAN
66800
原廠授權一級代理,專注汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源！
 詢價
INTERSIL
21+
CAN
13880
公司只售原裝,支持實單
 詢價
INTERSIL
21+
CAN
2250
只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨!
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INTERSIL
23+
CAN
9920
原裝正品，支持實單
 詢價
INTERSIL
21+
CAN
19600
一站式BOM配單
 詢價
INTERSIL
QQ咨詢
CAN
84
全新原裝 研究所指定供貨商
 詢價
更多HS230F供應商 更新時間2025-4-24 14:07:00

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