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HX4N60

N-ChannelMosfet

SIPOWER

SiPower Inc.

HY4N60D

600V/4.0AN-ChannelEnhancementModeMOSFET

HY

HY ELECTRONIC CORP.

HY4N60T

600V/4.0AN-ChannelEnhancementModeMOSFET

HY

HY ELECTRONIC CORP.

IRF4N60

POWERMOSFET

SUNTAC

Suntac Electronic Corp.

IRF4N60

4.0A600VNCHANNELPOWERMOSFET

FCIFirst Components International

戈采戈采企業(yè)股份有限公司

IRF4N60FP

POWERMOSFET

SUNTAC

Suntac Electronic Corp.

IRF4N60FP

4.0A600VNCHANNELPOWERMOSFET

FCIFirst Components International

戈采戈采企業(yè)股份有限公司

IXFP4N60

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.4Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andPFCCircuits..

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTA4N60P

PolarHVPowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXTA4N60P

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
HOMSEMI
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TO-251
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國產(chǎn)
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TO-220F
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TO-220F
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更多HS4N60IA供應(yīng)商 更新時間2025-2-15 11:18:00