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HSG1002VE-TL-E_RENESAS/瑞薩_IC AMP HBT SIGE 38GHZ MFPAK-4貿(mào)澤芯城一部

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  • 廠家型號(hào)：

    HSG1002VE-TL-E

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    RENESAS/瑞薩

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    100000

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOT943

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-5-7 13:59:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：HSG1002VE-TL-E品牌：RENESAS/瑞薩

原廠授權(quán)一級(jí)代理,專(zhuān)業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種

  • 芯片型號(hào)：

    HSG1002VE-TL-E

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    RENESAS【瑞薩】詳情

  • 廠商全稱：

    Renesas Technology Corp

  • 中文名稱：

    瑞薩科技有限公司

  • 資料說(shuō)明：

    IC AMP HBT SIGE 38GHZ MFPAK-4

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)：

    HSG1002VE-TL-E

  • 功能描述：

    IC AMP HBT SIGE 38GHZ MFPAK-4

  • RoHS：

    是

  • 類(lèi)別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管(BJT)

  • 系列：

    -

  • 產(chǎn)品變化通告：

    Product Discontinuation 17/Dec/2010

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1

  • 晶體管類(lèi)型：

    NPN 電壓 -

  • 集電極發(fā)射極擊穿（最大）：

    4.7V 頻率 -

  • 轉(zhuǎn)換：

    47GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）：

    0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz

  • 增益：

    9dB ~ 31dB 功率 -

  • 最大：

    160mW 在某 Ic、Vce

  • 時(shí)的最小直流電流增益(hFE)：

    160 @ 25mA，3V 電流 -

  • 集電極(Ic)（最大）：

    45mA

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝

  • 封裝/外殼：

    4-SMD，扁平引線

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    4-TSFP

  • 包裝：

    Digi-Reel®

  • 其它名稱：

    BFP 740FESD E6327DKR

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    陳先生/周小姐

  • 手機(jī)：

    18923718265

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-82721010

  • 傳真：

    0755-28225816

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道福強(qiáng)社區(qū)華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座、B座A座16層1611室/亞太地區(qū)XILINX、ALTERA、LATTICE、AD、TI、ST、infineon、NXP、Microchip一級(jí)代理商

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