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IRFP360

23A,400V,0.200Ohm,N-ChannelPowerMOSFET

ThisadvancedpowerMOSFETisdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingc

Intersil

Intersil Corporation

IRFP360

PowerMOSFET(Vdss=400V,Rds(on)=0.20ohm,Id=23A)

IRF

International Rectifier

IRFP360

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFP360

MegaMOSFET

Features ?Fastswitchingtimes ?Internationalstandardpackages ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Highcommutingdv/dtrating Applications ?DCchoppers ?MotorControls ?Switch-modeandresonant-mode ?Uninterruptablepowersupplies(UPS) Adva

IXYS

IXYS Corporation

IRFP360

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ?DrainCurrent–ID=23A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=400V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.2Ω(Max) ?FastSwitching DESCRIPTION ?Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFP360

Avalanche-Energy-RatedN-ChannelPowerMOSFETs

TheIRFP360andIRFP362areadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperationThesearen-channelenhancement-modesilicon-gatepowerfield-effecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingre

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

IRFP360

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFP360

PowerMOSFET

FEATURES ?DynamicdV/dtrated ?Repetitiveavalancherated ?Isolatedcentralmountinghole ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinfo

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFP360LC

PowerMOSFET(Vdss=400V,Rds(on)=0.20ohm,Id=23A)

Description ThisnewseriesofLowChargeHEXFETPowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingadvancedHexfettechnologythedeviceimprovementsallowforreducedgatedriverequirements,fasterswitchingspeedsandincreasedtotalsystemsavings.The

IRF

International Rectifier

IRFP360LC

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    HSM360J/TR13

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 包裝：

    托盤

  • 二極管類型：

    肖特基

  • 電流 - 平均整流 (Io)：

    3A

  • 速度：

    快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    DO-214AB，SMC

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    DO-214AB

  • 工作溫度 - 結(jié)：

    -55°C ~ 175°C

  • 描述：

    DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO214AB

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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一級代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢長期供貨
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MICROSEMI/美高森美
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DO-214AB
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明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
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更多HSM360J供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-26 10:18:00

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