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HUF76609D3中文資料友臺半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

HUF76609D3
廠商型號

HUF76609D3
功能描述

100 VN-Channel MOSFET
絲印標識

76609D
封裝外殼

TO-252
文件大小

440.78 Kbytes
頁面數(shù)量

7 頁
生產(chǎn)廠商 Guangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.
企業(yè)簡稱

UMW【友臺半導體】

中文名稱

廣東友臺半導體有限公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-21 16:58:00
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HUF76609D3規(guī)格書詳情

Features

? Ultra Low On-Resistance

? Simulation Models

? Temperature Compensated PSPICE? and SABER?

? Electrical Models

? Spice and SABER Thermal Impedance Models

? Peak Current vs Pulse Width Curve

? UIS Rating Curve

? Switching Time vs RGS Curves

? VDS=100V

? RDS(ON) (at VGS=10V) < 160mΩ

? RDS(ON)(at VGS = 5V) < 165mΩ

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    HUF76609D3

  • 功能描述：

    MOSFET 10a 100V 0.165 Ohm 1Ch HS Logic Gate

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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