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IIRL3103	文件：339.16 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IIRLR3103	文件：335.58 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IR3103	文件：198.54 Kbytes Page：11 Pages	Half-BridgeFredFETandIntegratedDriver Description TheIR3103isagatedriverICintegratedwithahalfbridgeFredFETdesignedformotordriveapplicationsupto180W(heatsink-less).Thesleekandcompactsingle-in-linepackageisoptimizedforelectronicmotorcontrolinapplianceapplicationssuchasfansandcompressorsforrefr	IRF International Rectifier	IRF
IRF3103	文件：104.26 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	InterFET InterFET Corporation	InterFET
IRL3103	文件：214.15 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdds=30V,Rds(on)=12mohm,Id=64A) Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRF International Rectifier	IRF
IRL3103	文件：339.16 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRL3103L	文件：125.18 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Rds(on)=12mohm,Id=64A) Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRF International Rectifier	IRF
IRL3103L	文件：158.09 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRL3103LPBF	文件：648.75 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRF International Rectifier	IRF
IRL3103PBF	文件：190.11 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF

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