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HY3208M中文資料后羿半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

HY3208M
廠商型號(hào)

HY3208M

功能描述

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件大小

4.79775 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

14 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 HOOYI SEMICONDUCTOR
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

HOOYI后羿半導(dǎo)體

中文名稱(chēng)

西安后羿半導(dǎo)體科技有限公司

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-21 18:34:00

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HY3208M規(guī)格書(shū)詳情

Features

80V/120A

RDS(ON)= mW (typ.) @VGS=10V

· Reliable and Rugged

· Lead Free andGreenDevicesAvailable

(RoHSCompliant)

100% avalanche tested

7.0

Applications

· Power Management for Inverter Systems.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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