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HY57V161610DTC-10

2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM

DESCRIPTION THEHyundaiHY57V161610Disa16,777,216-bitsCMOSSynchronousDRAM,ideallysuitedforthemainmemoryandgraphicapplicationswhichrequirelargememorydensityandhighbandwidth.HY57V161610Disorganizedas2banksof524,288x16. HY57V161610Disofferingfullysync

HynixHynix Semiconductor

海力士海力士半導(dǎo)體

HY57V161610DTC-10I

2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM

DESCRIPTION THEHynixHY57V161610Disa16,777,216-bitsCMOSSynchronousDRAM,ideallysuitedfortheMobileapplicationswhichrequirelowpowerconsumptionandindustrialtemperaturerange.HY57V161610Disorganizedas2banksof524,288x16. HY57V161610Disofferingfullysynchrono

HynixHynix Semiconductor

海力士海力士半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    HY57V161610DTC-10

  • 制造商：

    HYNIX

  • 制造商全稱：

    Hynix Semiconductor

  • 功能描述：

    2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多HY57V161610DTC-10供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-2 10:50:00

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