HY57V561620中文資料海力士數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號	HY57V561620
功能描述	4Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM
文件大小	151.77 Kbytes
頁面數(shù)量	13 頁
生產(chǎn)廠商	Hynix Semiconductor
企業(yè)簡稱	Hynix【海力士】
中文名稱	海力士半導(dǎo)體官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
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更新時間	2025-5-27 23:01:00
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HY57V561620規(guī)格書詳情

The HY57V561620T is a 268,435,456bit CMOS Synchronous DRAM, ideally suited for the main memory applications which require large memory density and high bandwidth. HY57V561620 is organized as 4 banks of 4,194,304x16.

The HY57V561620T is offering fully synchronous operation referenced to a positive edge of the clock. All inputs and outputs are synchronized with the rising edge of the clock input. The data paths are internally pipelined to achieve very high bandwidth. All input and output voltage levels are compatible with LVTTL.

產(chǎn)品屬性

型號：
HY57V561620
制造商：
HYNIX
制造商全稱：
Hynix Semiconductor
功能描述：
4Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM

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