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HY5N50T	文件：151.38 Kbytes Page：4 Pages	500V / 5A N-Channel Enhancement Mode MOSFET	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
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IRFIB5N50LPBF	文件：170.31 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFIB5N50LPBF	文件：178.7 Kbytes Page：9 Pages	SMPSMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IXFP5N50	文件：295.28 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.65Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andPFCCircuits..	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
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IXTA5N50P	文件：102.63 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVPowerMOSFET-N-ChannelEnhancementMode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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