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HYG120P06LR1D中文資料華羿微電數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

HYG120P06LR1D
廠商型號(hào)

HYG120P06LR1D

功能描述

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

G120P06L

封裝外殼

TO-252-2L

文件大小

1.48186 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

11 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

HUAYI華羿微電

中文名稱

華羿微電子股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-23 18:30:00

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