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MTP5N40

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MTP5N40E

N-Channel500V(D-S)PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

MTP5N40E

N??hannelEnhancement

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MTP5N40E

N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

MTP5N40E

TMOSPOWERFET5.0AMPERES400VOLTSRDS(on)=1.0OHM

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

PHP5N40

PowerMOStransistor

GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopefeaturinghighavalancheenergycapability,stableoff-statecharacteristics,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.IntendedforuseinSwitchedModePower

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHP5N40E

PowerMOStransistor

GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopefeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.IntendedforuseinSwitchedModePowerSupplies

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHX5N40E

PowerMOStransistorIsolatedversionofPHP10N40E

GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinafullpack,plasticenvelopefeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.IntendedforuseinSwitchedModePow

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

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更多I5N40供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-10 10:15:00

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