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IDT71024S20TY

CMOS STATIC RAM 1 MEG (128K x 8-BIT)

DESCRIPTION: TheIDT71024isa1,048,576-bithigh-speedstaticRAMorganizedas128Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shighperformance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstateof-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhig

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71024S20TY

Package：32-BSOJ（0.300"，7.62mm 寬）；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

IDT71024S20TYI

Package：32-BSOJ（0.300"，7.62mm 寬）；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

IDT71024S20TYI8

Package：32-BSOJ（0.300"，7.62mm 寬）；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

71024S20TYG

CMOSStaticRAM1Meg(128Kx8-Bit)

Features ◆128Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆Commercial(0°Cto+70°C),Industrial(–40°Cto+85°C) ◆Equalaccessandcycletimes —CommercialandIndustrial:12/15/20ns ◆TwoChipSelectsplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionalinputsandoutputsdirectly TTL-compatible ◆

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71024S20TYGI

CMOSStaticRAM1Meg(128Kx8-Bit)

Features ◆128Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆Commercial(0°Cto+70°C),Industrial(–40°Cto+85°C) ◆Equalaccessandcycletimes —CommercialandIndustrial:12/15/20ns ◆TwoChipSelectsplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionalinputsandoutputsdirectly TTL-compatible ◆

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71024S20YG

CMOSStaticRAM1Meg(128Kx8-Bit)

Features ◆128Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆Commercial(0°Cto+70°C),Industrial(–40°Cto+85°C) ◆Equalaccessandcycletimes —CommercialandIndustrial:12/15/20ns ◆TwoChipSelectsplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionalinputsandoutputsdirectly TTL-compatible ◆

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71024S20YGI

CMOSStaticRAM1Meg(128Kx8-Bit)

Features ◆128Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆Commercial(0°Cto+70°C),Industrial(–40°Cto+85°C) ◆Equalaccessandcycletimes —CommercialandIndustrial:12/15/20ns ◆TwoChipSelectsplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionalinputsandoutputsdirectly TTL-compatible ◆

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

IDT71024S20LB

CMOSSTATICRAM1MEG(128Kx8-BIT)

DESCRIPTION: TheIDT71024isa1,048,576-bithigh-speedstaticRAMorganizedas128Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shighperformance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstateof-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhig

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71024S20Y

CMOSSTATICRAM1MEG(128Kx8-BIT)

DESCRIPTION: TheIDT71024isa1,048,576-bithigh-speedstaticRAMorganizedas128Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shighperformance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstateof-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhig

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IDT71024S20TY

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲(chǔ)器類型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 異步

  • 存儲(chǔ)容量：

    1Mb（128K x 8）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：

    20ns

  • 電壓 - 供電：

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    32-BSOJ（0.300"，7.62mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    32-SOJ

  • 描述：

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IDT
23+
32300MILSOJ
9526
詢價(jià)
IDT
24+
SOJ32
395
詢價(jià)
IDT
23+
32-SOJ
71890
專業(yè)分銷產(chǎn)品!原裝正品!價(jià)格優(yōu)勢(shì)!
 詢價(jià)
IDT
05+
原廠原裝
4337
只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)
 詢價(jià)
IDT
23+
SOJ
5000
原裝正品,假一罰十
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SOJ32
6200
100%原裝正品現(xiàn)貨
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23
原裝正品現(xiàn)貨庫(kù)存價(jià)優(yōu)
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價(jià)格優(yōu)勢(shì)/原裝現(xiàn)貨/客戶至上/歡迎廣大客戶來(lái)電查詢
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IDT
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絕對(duì)原裝自家現(xiàn)貨!真實(shí)庫(kù)存!歡迎來(lái)電!
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24+
SOJ/32
1068
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價(jià)
更多IDT71024S20TY供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-7 16:35:00

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