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IDT71T016集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

IDT71T016
廠商型號

IDT71T016
參數(shù)屬性

IDT71T016 封裝/外殼為48-LFBGA；包裝為卷帶（TR）；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48CABGA
功能描述

LOW POWER 2V CMOS SRAM 1 MEG (64K x 16-BIT)
封裝外殼

48-LFBGA
文件大小

80.71 Kbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產(chǎn)廠商 Integrated Device Technology, Inc.
企業(yè)簡稱

IDT

中文名稱

Integrated Device Technology, Inc.官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-2-16 16:50:00

IDT71T016規(guī)格書詳情

DESCRIPTION:

The IDT71T016 is a 1,048,576-bit very low-power Static RAM organized as 64K x 16. It is fabricated using IDT’s high-reliability CMOS technology. This state-of-the-art technology, combined with innovative circuit design techniques, provides a cost-effective solution for low-power memory needs. It uses a 6-transistor memory cell.

FEATURES:

? 64K x 16 Organization

? Wide Operating Voltage Range: 1.8 to 2.7V

? Speed Grades: 150ns, 200ns

? Low Operating Power: 20mA (max)

? Low Standby Power: 5μA (max)

? Low-Voltage Data Retention: 1.5V (min)

? Available in a 44-pin TSOP package

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IDT71T016SA12BF8

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 異步

  • 存儲容量：

    1Mb（64K x 16）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    12ns

  • 電壓 - 供電：

    2.375V ~ 2.625V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    48-LFBGA

  • 供應商器件封裝：

    48-CABGA（7x7）

  • 描述：

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48CABGA

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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