IGD06N60T分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IGD06N60T |
| 參數(shù)屬性 | IGD06N60T 封裝/外殼為TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 12A 88W TO252-3 |
| 功能描述 | IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technology |
| 封裝外殼 | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 |
| 文件大小 |
460.08 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
12 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-5-24 14:31:00 |
| 人工找貨 | IGD06N60T價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
IGD06N60T規(guī)格書詳情
IGD06N60T屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IGD06N60T晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
IGD06N60TATMA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列：
TrenchStop?
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
溝槽型場截止
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.05V @ 15V，6A
- 開關(guān)能量：
200μJ
- 輸入類型：
標準
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
9ns/130ns
- 測試條件：
400V，6A，23 歐姆，15V
- 工作溫度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
- 供應(yīng)商器件封裝：
PG-TO252-3-11
- 描述：
IGBT 600V 12A 88W TO252-3
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
24+ |
PG-TO252-3 |
8866 |
詢價 | |||
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
2118+ |
原廠封裝 |
6800 |
公司現(xiàn)貨全新原裝假一罰十特價 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
24+ |
PG-TO252-3 |
25000 |
原裝正品,假一賠十! |
詢價 | ||
Infineon |
23+ |
標準封裝 |
5000 |
原廠授權(quán)一級代理 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質(zhì)保 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
24+ |
20000 |
全新、原裝、現(xiàn)貨 |
詢價 | |||
Infineon(英飛凌) |
22+ |
NA |
7000 |
原廠原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
INENOI |
16+ |
SOT252 |
5000 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
SOT-252 |
17174 |
原裝進口假一罰十 |
詢價 | ||
INFINEON |
23+ |
TO252 |
8600 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
2023+ |
PG-TO252-3 |
6000 |
原裝正品現(xiàn)貨、支持第三方檢驗、終端BOM表可配單提供 |
詢價 |
